时间：2025/7/14 16:04:32
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ILD621GB-X009T 是英飞凌（Infineon）推出的一款隔离式栅极驱动器芯片，专为功率半导体器件如 IGBT 和 SiC MOSFET 的高效驱动应用而设计。该芯片采用先进的磁性隔离技术，提供高抗噪能力和电气安全性，适用于工业电机控制、变频器、太阳能逆变器等电力电子系统。
工作电压：18 V 最大供电电压
输出电流能力：±3.5 A 峰值电流
传播延迟时间：130 ns（典型值）
输入信号频率范围：高达 1 MHz
隔离耐压等级：5.7 kV RMS（符合UL认证）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
ILD621GB-X009T 内置的去饱和检测功能可有效防止因过流或短路导致的器件损坏，从而提升系统的可靠性。其具备快速响应时间和低延迟偏移，确保多个功率开关在并联运行时的同步性。
此外，该芯片集成了欠压锁定保护机制，能够在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，避免功率器件误操作。磁性隔离结构不仅提供了更高的共模瞬态抗扰度（CMTI），还显著增强了设备在恶劣电磁环境下的稳定性。
封装方面，ILD621GB-X009T 采用表面贴装型封装（SMD），便于自动化生产与PCB布局优化，同时保证良好的热管理性能。其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的应用场景。
由于其高性能隔离特性和较强的驱动能力，ILD621GB-X009T 广泛应用于各类电力电子系统中，包括但不限于工业伺服驱动器、电动汽车充电模块、光伏逆变器以及智能电网相关设备。该芯片特别适合用于需要高速切换和高可靠性的高端功率变换场合。
在新能源汽车领域，它常被用作车载充电器（OBC）中的主控IGBT驱动电路核心元件。同时，在电机控制领域，ILD621GB-X009T 可以作为三相逆变桥的栅极驱动IC，实现对交流感应电动机或永磁同步电机的精准控制。
在通信电源系统中，该芯片也能发挥重要作用，例如在DC-DC转换模块中驱动高频MOSFET器件，提高整体能效。
ACPL-KR2J-000E, Si8221BB-D-ISR
