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CSD23280F3 发布时间 时间:2025/5/6 12:42:12 查看 阅读:11

CSD23280F3 是一款由 TI(德州仪器)生产的 N 通道增强型功率 MOSFET,采用 NexFET 技术制造。该器件具有极低的导通电阻和快速开关性能,适用于高效能电源转换应用,例如 DC-DC 转换器、同步整流电路以及负载开关等。其封装形式为 SOT-23-6L,非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:7.1A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷(典型值):9nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23-6L

特性

CSD23280F3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗。
  2. 快速开关能力,有助于减少开关损耗并提高效率。
  3. 小型 SOT-23-6L 封装,适合紧凑型设计。
  4. 高电流处理能力,支持高达 7.1A 的连续漏极电流。
  5. 宽工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

CSD23280F3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器,如降压或升压拓扑。
  3. 负载开关和电源管理电路。
  4. 消费类电子设备中的电源保护与管理。
  5. 工业控制和通信电源系统。
  6. 电池供电设备中的高效能源转换方案。

替代型号

CSD18502Q5A, CSD18503Q5B, FDMC8621

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CSD23280F3参数

  • 现有数量63,483现货9,000Factory
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.63599卷带(TR)
  • 系列FemtoFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)116 毫欧 @ 400mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.23 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)234 pF @ 6 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装3-PICOSTAR
  • 封装/外壳3-XFDFN