TISPPBL1P 时间：2025/8/6 22:01:29 阅读：28

TISPPBL1P是一款由Texas Instruments（德州仪器）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的电源管理应用，例如DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。TISPPBL1P采用先进的半导体技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热性能，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。该MOSFET封装在坚固的表面贴装封装中，便于自动化生产和高密度PCB布局。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　引脚数：8

特性

TISPPBL1P具备多项优异特性，使其成为高性能电源管理应用的理想选择。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏源电压（Vds）可达30V，适用于多种中低压电源转换场景。TISPPBL1P采用了先进的封装技术，提供良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，支持5V至20V之间的稳定工作，适用于多种控制电路配置。同时，其高电流承载能力（160A）使其适用于高功率密度应用，如服务器电源、电池管理系统和电动工具控制。TISPPBL1P还具备良好的短路耐受能力，提升了系统的可靠性和安全性。最后，该器件的封装设计支持表面贴装工艺，便于大规模生产和紧凑型PCB布局。

应用

TISPPBL1P广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电池充电和管理系统、电机驱动器、负载开关、电源分配系统以及服务器和通信设备的电源模块。此外，该MOSFET也可用于工业自动化控制、电动车和电动工具的电源管理电路中。由于其优异的导通性能和热管理能力，TISPPBL1P在需要高效率和高可靠性的电源转换系统中表现出色。