IRFS4115TRLPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用Trench技术制造。这款器件主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等需要高性能功率开关的场景。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
IRFS4115TRLPBF采用PQFN封装形式,这种封装有助于改善散热性能并减少寄生电感,非常适合高频应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:37A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷:29nC
输入电容:2080pF
总功耗:23W
工作结温范围:-55℃至175℃
IRFS4115TRLPBF具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗。
2. 快速开关3. 优化的栅极电荷和输出电容,提升动态性能。
4. 高温操作能力,支持恶劣环境下的可靠运行。
5. PQFN封装设计,减小PCB空间占用的同时改善热性能。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅。
IRFS4115TRLPBF广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载控制和保护。
5. 汽车电子中的各种功率管理功能。
6. 各种需要高效功率开关的应用场景。
IRFS4116TRLPBF, IRFR3206TRPBF