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IRFS4115TRLPBF 发布时间 时间:2025/6/12 18:42:47 查看 阅读:4

IRFS4115TRLPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用Trench技术制造。这款器件主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等需要高性能功率开关的场景。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
  IRFS4115TRLPBF采用PQFN封装形式,这种封装有助于改善散热性能并减少寄生电感,非常适合高频应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:37A
  导通电阻(典型值):1.4mΩ
  栅极电荷:29nC
  输入电容:2080pF
  总功耗:23W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFS4115TRLPBF具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗。
  2. 快速开关3. 优化的栅极电荷和输出电容,提升动态性能。
  4. 高温操作能力,支持恶劣环境下的可靠运行。
  5. PQFN封装设计,减小PCB空间占用的同时改善热性能。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

IRFS4115TRLPBF广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级开关。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
  4. 工业自动化设备中的负载控制和保护。
  5. 汽车电子中的各种功率管理功能。
  6. 各种需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

IRFS4116TRLPBF, IRFR3206TRPBF

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IRFS4115TRLPBF参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C195A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.1 毫欧 @ 62A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5270pF @ 50V
  • 功率 - 最大375W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFS4115TRLPBFTR