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IRFS4115-7PPBF 发布时间 时间:2025/4/27 8:52:00 查看 阅读:3

IRFS4115-7PPBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench技术,能够提供较低的导通电阻和较高的开关效率。其设计目标是满足高功率密度应用的需求,如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等。该芯片具有出色的热性能和电气特性,适用于需要高效能和高可靠性的场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:48nC
  总电容:2090pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRFS4115-7PPBF采用领先的制造工艺,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 较小的栅极电荷,有助于实现快速开关,减少开关损耗。
  3. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持高性能。
  5. 紧凑的封装设计,有助于减小整体电路板尺寸。
  6. 出色的电气特性和可靠性,适用于多种工业及消费类电子设备。

应用

IRFS4115-7PPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),用于提升电源转换效率。
  2. DC-DC转换器,特别适用于高电流输出的应用。
  3. 电机驱动,为各类电机提供高效的功率控制。
  4. 电池管理系统的充放电控制。
  5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备。
  6. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFB4110TRPBF, IRFZ44N

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IRFS4115-7PPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C105A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.8 毫欧 @ 63A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5320pF @ 50V
  • 功率 - 最大380W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
  • 供应商设备封装D2PAK(7-Lead)
  • 包装管件