类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大漏极电流（ID）：32 A
　　导通电阻（RDS(on)）：18 mΩ @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　最大栅源电压（VGSS）：±20 V
　　输入电容（Ciss）：2300 pF
　　输出电容（Coss）：540 pF
　　反向恢复时间（trr）：67 ns
　　最大功耗（PD）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +175 °C
　　封装形式：TO-220AB

IRFS4010的核心优势之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为18毫欧姆，在VGS = 10V的工作条件下可显著降低导通状态下的功率损耗，这对于提升电源系统的能效至关重要。尤其是在大电流应用场景下，如大功率DC-DC转换器或电动工具驱动电路中，低RDS(on)能够有效减少发热，从而降低对散热设计的要求，并提高系统的整体可靠性。此外，该器件采用了优化的晶圆制造工艺，确保了批次间的一致性和长期稳定性。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。IRFS4010具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得在高频PWM控制中可以实现更快的开关速度，同时减少驱动电路所需的能量。配合较低的输出电容（Coss），进一步降低了开关过程中的能量损耗，特别适合用于开关电源（SMPS）、同步整流器以及光伏逆变器等对效率要求较高的拓扑结构。
　　在可靠性方面，IRFS4010具备较强的雪崩耐量（Avalanche Ruggedness），能够在突发的电压冲击下安全运行，避免因瞬态过压而导致器件损坏。这一特性对于电机驱动或电感负载切换等存在反电动势的应用尤为重要。同时，器件支持高达175°C的最大结温，配合TO-220AB封装良好的热传导能力，可在高温工业环境中长期稳定工作。
　　此外，IRFS4010还具备良好的抗噪声能力和栅极氧化层耐用性，可承受±20V的栅源电压摆幅，提高了在复杂电磁环境下的鲁棒性。其标准引脚配置与行业通用的TO-220封装兼容，便于在现有设计中进行替换或升级。总体而言，IRFS4010是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET，适用于多种中高压、大电流的电力电子系统。

IRFS4010广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。在开关电源领域，它常被用作主开关管或同步整流管，特别是在隔离型反激、正激、半桥和全桥拓扑中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率并减小散热器体积。在DC-DC降压或升压变换器中，IRFS4010可用于高侧或低侧开关，尤其适用于48V系统、电信电源模块及服务器电源等中等电压平台。
　　在电机驱动应用中，该器件适用于直流无刷电机（BLDC）、步进电机和有刷电机的相位开关控制，常见于电动工具、家用电器、工业自动化设备和机器人控制系统。由于其具备良好的动态响应能力和热稳定性，能够在频繁启停和高负载波动条件下可靠运行。
　　此外，IRFS4010也适用于新能源领域的功率处理单元，例如太阳能微型逆变器、储能系统中的电池管理电路以及电动汽车辅助电源系统。在这些应用中，器件的高效率和高可靠性直接关系到整个系统的能源利用率和安全性。
　　其他应用还包括UPS不间断电源、LED恒流驱动电源、感应加热设备以及各类工业电源模块。得益于其坚固的设计和宽泛的工作温度范围，IRFS4010也可部署于户外或恶劣环境下的电气装置中，如通信基站电源、轨道交通设备和智能电网终端单元。

SPB30N10C3, FQP30N10, STP30N10FZ, IRFZ44N, IRF3205