IRFS3307Z 时间：2025/5/16 17:49:05 阅读：53

IRFS3307Z是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛用于各种电源管理应用中，例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。IRFS3307Z封装形式为SO-8，其出色的热性能和电气性能使其成为高效率功率转换的理想选择。
　　该器件的最大额定电压为30V，适合在低压系统中使用。其优化的栅极电荷和输出电容使得开关损耗得以降低，从而提高整体系统效率。此外，IRFS3307Z还具备出色的雪崩能力和较高的电流处理能力，这进一步增强了其可靠性和鲁棒性。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：26A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：14nC
　　输入电容：1140pF
　　总功耗：25W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

IRFS3307Z采用了先进的Trench MOSFET技术，具备以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 快速开关速度，可降低开关损耗，适合高频应用。
　　3. 高电流承载能力，适用于大功率电路设计。
　　4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下依然能稳定运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
　　6. 小型SO-8封装，节省PCB空间的同时提供卓越的散热性能。

应用

IRFS3307Z适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
　　2. DC-DC转换器，用于电压调节和稳压功能。
　　3. 电池管理系统（BMS），特别是在电动汽车和储能设备中。
　　4. 电机驱动器，尤其是小型直流电机或步进电机的控制。
　　5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
　　6. 通信设备中的高效功率分配网络。