类型：MOS FET继电器（无触点继电器）
　　输出类型：双MOSFET（背对背）
　　负载电压（最大值）：60 V
　　连续负载电流（Io）：1.8 A
　　导通电阻（Ron）：典型值 90 mΩ，最大值 120 mΩ
　　输入正向电流（IF）：5 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出电容（COFF）：典型值 20 pF
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　封装形式：S-VSON4（超薄小外形无引线封装）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　响应时间（开启/关断）：典型值 0.3 ms / 0.2 ms

G3VM-21PR11的核心特性之一是其采用的MOSFET输出结构，这种结构使得器件在导通状态下表现出极低的导通电阻，典型值仅为90mΩ，最大不超过120mΩ。这一低导通电阻显著降低了在大电流通过时的功率损耗和温升，提高了系统的整体效率并减少了散热需求。由于采用了双MOSFET背对背连接方式，该器件可以安全地用于交流或直流负载的开关控制，有效防止反向电流流动，提升了电路的安全性和可靠性。同时，低导通电阻也意味着更高的电流承载能力，在连续负载电流达到1.8A的情况下仍能保持稳定运行。
　　另一个关键特性是其卓越的电气隔离性能。G3VM-21PR11提供高达5000Vrms的输入-输出隔离电压，能够在高压和低压电路之间建立可靠的绝缘屏障，防止噪声干扰和电击风险，适用于医疗设备、工业控制系统等对安全等级要求较高的应用场景。其输入侧仅需5mA的驱动电流即可正常工作，兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于与微控制器、PLC或其他数字控制电路直接接口，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。
　　该器件采用S-VSON4超小型无引线封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并支持自动化表面贴装工艺，提高生产效率和产品一致性。响应速度快，开启时间典型值为0.3ms，关断时间为0.2ms，远快于传统电磁继电器，适用于高频开关操作。此外，由于没有机械触点，不存在磨损、弹跳和电弧等问题，因此具有极长的使用寿命和高可靠性，尤其适合需要频繁开关操作的应用场景。

G3VM-21PR11广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高可靠性、长寿命和快速响应的固态开关场合。在自动测试设备（ATE）中，它常被用作信号路由开关，因其低导通电阻和低输出电容（典型值20pF），能够最小化信号失真，保证测试精度。在工业自动化控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器接口、执行器驱动等环节，实现对小功率负载的安全隔离控制。通信设备中也常用此类光耦继电器进行线路切换、电源管理或热插拔保护，利用其快速响应和无噪声切换的优势提升系统稳定性。
　　在医疗电子设备中，由于G3VM-21PR11具备5000Vrms的高隔离电压和符合安全标准的设计，可应用于病人监护仪、诊断仪器等对电气安全要求极高的设备中，确保操作人员和患者的安全。消费类电子产品如智能家居控制器、智能电表、安防系统等也越来越多地采用此类固态继电器替代传统电磁式继电器，以提升产品寿命和抗干扰能力。此外，在电池管理系统（BMS）、电源分配单元（PDU）以及嵌入式控制板中，G3VM-21PR11可用于电池充放电回路的通断控制或故障隔离，发挥其低功耗、高效率的特点。其表面贴装封装形式也使其成为现代小型化、轻量化电子产品设计的理想选择。

G3VM-21LR11
　　G3VM-41LR11
　　TLP3545A