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IRFS140A 发布时间 时间:2025/12/29 14:21:54 查看 阅读:14

IRFS140A是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高功率密度和高频开关应用设计,广泛用于电源转换器、电机驱动、电池管理系统、DC-DC转换器以及各类工业控制电路中。IRFS140A采用TO-220封装,具备良好的热性能和高可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):15A(在Tc=25℃)
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(最大值,在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

IRFS140A具有低导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  其高栅极电压容限(±20V)增强了在高频开关应用中的稳定性与可靠性。
  该器件具备良好的热阻性能,能够适应高功率应用场景下的热管理需求。
  此外,IRFS140A具有快速开关特性,适用于要求快速响应的电源转换系统。
  该MOSFET的封装设计有利于散热,便于在多种PCB布局中安装和使用。
  它符合RoHS环保标准,适用于对环境要求较高的工业设备。

应用

IRFS140A常用于各种电源管理与功率控制电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、电机控制电路、逆变器、充电器、电池管理系统以及工业自动化设备。
  其高耐压和大电流能力使其适用于中等功率级别的高频开关应用。
  由于其优异的导通特性和热性能,IRFS140A也广泛应用于LED照明驱动、电动工具及家电中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, FDPF140N10A

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IRFS140A参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流39 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.052 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-3PF
  • 封装Tube
  • 下降时间56 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散72 W
  • 上升时间18 ns
  • 工厂包装数量30
  • 典型关闭延迟时间90 ns