您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFR9120TRLPBF

IRFR9120TRLPBF 发布时间 时间:2023/3/7 14:34:50 查看 阅读:271

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫欧 @ 3.4A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):100V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.6A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:18nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :390pF @ 25V

    功率 - 最大:2.5W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:*


资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

IRFR9120TRLPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFR9120TRLPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRFR9120TRLPBF参数

  • 数据列表IRFR9120, IRFU9120
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 3.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds390pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR9120TRLPBF-NDIRFR9120TRLPBFTR