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IRFR7446PBF 发布时间 时间:2025/6/29 12:44:19 查看 阅读:6

IRFR7446PBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件主要用于高效能的开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合需要高效率和低损耗的应用场景。
  该MOSFET的最大漏源电压为60V,支持较高的电流负载能力,并具备优秀的热性能表现,确保在高温环境下的稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):4.5mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容(输入电容):1380pF
  最大工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252

特性

IRFR7446PBF具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
  3. 优化的栅极电荷设计,可减少驱动功耗。
  4. 高雪崩击穿能量能力,增强可靠性。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时提供出色的散热性能。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

IRFR7446PBF适用于多种工业和消费类电子设备中,常见的应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管或降压/升压控制管。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 负载开关或电池保护电路中的开关元件。
  5. 各类便携式电子设备及家电产品中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP5570, AO3400

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IRFR7446PBF参数

  • 现有数量0现货
  • 价格75 : ¥9.41907管件
  • 系列HEXFET?, StrongIRFET?
  • 包装管件
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)56A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.9 毫欧 @ 56A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)130 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3150 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)98W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63