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IRFR5505 发布时间 时间:2025/5/9 14:45:55 查看 阅读:5

IRFR5505是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用N沟道增强型技术,适用于高效率的开关应用。IRFR5505以其低导通电阻和快速开关速度著称,广泛应用于各种功率转换电路中,如DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及负载开关等。
  该器件采用了PowerTrench工艺制造,能够显著降低导通损耗并提高整体系统效率。同时,它还具有较低的栅极电荷和输出电荷,这有助于减少开关损耗,并支持高频操作。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  总电容:275pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-220FP

特性

IRFR5505的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下为1.5mΩ,从而减少了传导损耗。
  2. 快速开关性能,得益于其低栅极电荷(Qg=38nC)和输出电荷(Qoss=9nC)。
  3. 支持高电流操作,连续漏极电流高达42A。
  4. 工作温度范围宽广,能够在极端环境条件下稳定运行(-55℃至+175℃)。
  5. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  6. PowerTrench技术的应用进一步优化了芯片的热特性和电气性能。

应用

IRFR5505适合于需要高效能和高性能的功率转换场景,具体应用包括:
  1. DC-DC转换器:在降压或升压转换电路中作为主开关元件。
  2. 开关电源(SMPS):用于初级侧或次级侧开关。
  3. 电机驱动:用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型的电机。
  4. 逆变器:在光伏逆变器和其他类型逆变器中作为功率开关。
  5. 负载开关:在电池管理系统(BMS)中实现负载的动态开启与关闭。
  6. 工业自动化设备:例如PLC、伺服驱动器等中的功率控制模块。

替代型号

IRF540N, STP55NF06L, FDP55N06L

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IRFR5505参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 9.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFR5505