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IRFR5410TRPBF 发布时间 时间:2024/7/17 14:07:09 查看 阅读:181

IRFR5410TRPBF是一种基于MOSFET结构的三端器件,由源极、栅极和漏极组成。当栅极施加正电压时,形成一个电场,使得源、漏之间形成一个导通通道,从而形成通路。当栅极施加负电压时,导通通道关闭,形成断路。在应用中,通过控制栅极电压,可以控制源漏之间的通断状态,从而实现电路的控制。

参数

额定电压:100V
  额定电流:23A
  导通电阻:17mΩ
  门极电压:±20V
  动态特性:开关速度快,反向恢复时间短

特点

低导通电阻:17mΩ的导通电阻,能够降低功率损耗,提高效率。
  低开关损耗:快速开关速度,能够降低开关损耗。
  高速开关:具有快速开关能力,可用于高频应用。
  高温工作能力:能够在高温环境下正常工作,温度范围为-55℃~175℃。
  可靠性强:具有高可靠性和长寿命,可适用于各种复杂环境。

工作原理

IRFR5410TRPBF是一种N沟道MOSFET晶体管,其工作原理是基于MOSFET的结构和特性。MOSFET是一种三端器件,由源极、栅极和漏极组成。当栅极施加正电压时,形成一个电场,使得源、漏之间形成一个导通通道,从而形成通路。当栅极施加负电压时,导通通道关闭,形成断路。

应用

IRFR5410TRPBF广泛应用于电力电子领域,如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器、电动工具、太阳能逆变器等。

如何使用

1、选择适当的驱动电路。
  2、正确连接源、漏和栅极。
  3、保证器件工作环境的稳定性。
  4、调整栅极电压,使得源漏之间形成通路。

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IRFR5410TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C205 毫欧 @ 7.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
  • 功率 - 最大66W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR5410PBFTRIRFR5410TRPBF-NDIRFR5410TRPBFTR-ND