IRFR5410TR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用TO-263封装,广泛应用于功率转换、电机控制和开关电源等场景。由于其低导通电阻和较高的电流处理能力,IRFR5410TR在中高功率应用中表现出色。
该器件的主要特点是具有较低的栅极电荷和快速开关性能,从而减少了开关损耗并提高了整体效率。同时,它还具有出色的热特性和可靠性,适用于各种工业及消费类电子设备。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:78A
导通电阻:1.9mΩ
栅极电荷:105nC
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
封装形式:TO-263
IRFR5410TR是一款专为高效功率管理设计的N沟道MOSFET。它的主要特点包括:
1. 极低的导通电阻(1.9mΩ),这有助于降低传导损耗并提高系统的效率。
2. 快速开关能力,得益于较低的栅极电荷(105nC),使其适合高频开关应用。
3. 较高的额定电流(78A),能够支持大功率负载需求。
4. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),确保了在极端环境条件下的稳定运行。
5. 稳定可靠的电气性能,满足多种工业级应用要求。
6. TO-263封装提供良好的散热性能,简化系统热管理设计。
IRFR5410TR广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域,例如:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 新能源汽车的DC/DC转换器及辅助逆变器。
5. LED照明系统的恒流驱动电路。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
IRFP260N, IRFZ44N, STP75NF06L