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IRFR5410TR 发布时间 时间:2025/7/3 17:24:20 查看 阅读:6

IRFR5410TR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用TO-263封装,广泛应用于功率转换、电机控制和开关电源等场景。由于其低导通电阻和较高的电流处理能力,IRFR5410TR在中高功率应用中表现出色。
  该器件的主要特点是具有较低的栅极电荷和快速开关性能,从而减少了开关损耗并提高了整体效率。同时,它还具有出色的热特性和可靠性,适用于各种工业及消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:78A
  导通电阻:1.9mΩ
  栅极电荷:105nC
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:TO-263

特性

IRFR5410TR是一款专为高效功率管理设计的N沟道MOSFET。它的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(1.9mΩ),这有助于降低传导损耗并提高系统的效率。
  2. 快速开关能力,得益于较低的栅极电荷(105nC),使其适合高频开关应用。
  3. 较高的额定电流(78A),能够支持大功率负载需求。
  4. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),确保了在极端环境条件下的稳定运行。
  5. 稳定可靠的电气性能,满足多种工业级应用要求。
  6. TO-263封装提供良好的散热性能,简化系统热管理设计。

应用

IRFR5410TR广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 新能源汽车的DC/DC转换器及辅助逆变器。
  5. LED照明系统的恒流驱动电路。
  6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRFP260N, IRFZ44N, STP75NF06L

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IRFR5410TR参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C205 毫欧 @ 7.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
  • 功率 - 最大66W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)