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FDS8878 发布时间 时间:2025/6/3 9:07:38 查看 阅读:4

FDS8878是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理应用。其封装形式为TO-252(DPAK),能够满足严格的散热需求。
  FDS8878通常用于需要高效能、低损耗的电路设计中,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:14.3A
  导通电阻(Rds(on)):29mΩ
  总功耗:1.2W
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

FDS8878的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高开关速度,适合高频开关应用。
  3. 较高的雪崩击穿能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 小型化封装,节省PCB空间。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应多种环境条件。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

FDS8878适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 负载开关和电池保护电路。
  4. 电机驱动和逆变器。
  5. 便携式设备中的电源管理模块。
  6. 各种工业控制和汽车电子系统。

替代型号

FDS8940
  FDP8878
  IRLZ44N

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FDS8878参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 10.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds897pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS8878-NDFDS8878TR