时间：2025/6/3 9:07:38
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FDS8878是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用。其封装形式为TO-252(DPAK)，能够满足严格的散热需求。
FDS8878通常用于需要高效能、低损耗的电路设计中，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：14.3A
导通电阻（Rds(on)）：29mΩ
总功耗：1.2W
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
FDS8878的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高开关速度，适合高频开关应用。
3. 较高的雪崩击穿能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小型化封装，节省PCB空间。
5. 支持宽范围的工作温度，适应多种环境条件。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
FDS8878适用于以下应用领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 电机驱动和逆变器。
5. 便携式设备中的电源管理模块。
6. 各种工业控制和汽车电子系统。
FDS8940
FDP8878
IRLZ44N
