时间：2025/5/8 14:57:37
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IRFR5410 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-263封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其出色的电气性能使其成为高频功率转换的理想选择。
IRFR5410的工作电压范围较广，能够承受较高的漏源极电压，同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
型号：IRFR5410
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263
最大漏源极电压(Vds)：100V
最大栅源极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：9.2A
最大脉冲漏极电流(Ip)：38A
导通电阻(Rds(on))：27mΩ
栅极电荷(Qg)：17nC
总电容(Ciss)：440pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
IRFR5410的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，可显著减少开关损耗。
3. 高雪崩击穿能力，提高了器件在过载条件下的可靠性。
4. 紧凑的TO-263封装形式，适合空间受限的应用。
5. 良好的热性能，支持长时间稳定运行。
这些特点使得IRFR5410非常适合于需要高效功率转换和高可靠性的应用场景。
IRFR5410广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 其他需要高频、高效功率转换的应用场景。
IRF540N, IRFR5407, STP10NK60Z
