型号：11N40K-MT
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400 V
　　漏极电流（Id）@25°C：11 A
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：0.32 Ω（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）@4.5V Vgs：0.38 Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：680 pF @ 25°C
　　工作温度范围：-55 ~ +150 °C
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)
　　功率耗散（Pd）：50 W
　　雪崩能量额定值（EAS）：50 mJ

11N40K-MT具备出色的电气性能和热稳定性，使其在高效率功率转换系统中表现出色。其最大漏源电压高达400V，能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于离线式开关电源和反激式转换器等高压应用场合。该MOSFET的低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体系统效率，尤其是在大电流负载条件下优势更为明显。例如，在Rds(on)仅为0.32Ω的情况下，即使通过10A电流，导通压降也仅约3.2V，对应的功率损耗为32W（理想情况下），结合良好的散热设计可有效控制温升。
　　该器件采用先进的沟槽技术制造，优化了载流子迁移路径，提升了开关速度并减少了开关损耗。快速的开关响应使其适用于高频操作，典型开关频率可达数百kHz甚至更高，满足现代电源小型化和高效化的需求。同时，较低的输入电容（680pF）减少了驱动电路所需的充电能量，降低了驱动功耗，并允许使用更小的驱动芯片或简单的驱动拓扑。
　　11N40K-MT的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，这意味着它可以在标准逻辑电平（如5V或3.3V）下实现充分导通，特别适合与PWM控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。这不仅简化了设计复杂度，还提高了系统的集成度和可靠性。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，额定单脉冲雪崩能量达50mJ，表明其在遭遇电压突变或电感反冲时具备一定的自我保护能力，延长了器件寿命并增强了系统鲁棒性。
　　在封装方面，TO-252（D-Pak）是一种广泛使用的表面贴装封装，支持自动化贴片生产，且底部带有散热片，可通过PCB上的铜箔进行有效散热。这种封装形式兼顾了机械强度、热性能和焊接便利性，非常适合批量生产和自动化组装流程。此外，该器件符合RoHS指令要求，不含铅和有害卤素，满足现代电子产品对环保和安全的严格标准。

11N40K-MT常用于各类中高功率开关电源系统中，包括AC-DC适配器、离线式反激转换器、DC-DC升压/降压变换器以及LED驱动电源等。由于其400V的高耐压能力，特别适用于通用输入电压范围（85~265V AC）的电源设计，作为主开关管或同步整流管使用。在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电机控制模块中，该MOSFET可用于直流母线侧的开关控制，实现高效的能量传输与调节。此外，它也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电开关，提供可靠的隔离与通断功能。
　　在工业控制领域，11N40K-MT可用于PLC输出模块、继电器替代方案以及固态开关设计，利用其无触点特性提高系统响应速度和使用寿命。在消费类电子产品中，如电视、显示器电源板、笔记本电脑适配器中，该器件凭借其高效率和小体积优势，成为主流的功率开关选择。同时，得益于其良好的热性能和稳定性，也可应用于车载电子设备中的DC-DC转换模块，尤其是在需要宽输入电压适应能力的场合。
　　此外，11N40K-MT还可用于过流保护电路、热插拔控制器以及电子负载设计中，作为受控功率开关元件。其快速的开关能力和稳定的导通特性使其能够在动态负载条件下保持良好性能。总之，凭借其高电压耐受、低导通损耗和高可靠性，11N40K-MT在多种电力电子拓扑结构中都具有广泛的应用前景。

IRF840S
　　FQP11N40
　　STP11NM40FD
　　KSE11N40