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IRFR5305PBF 发布时间 时间:2025/6/27 6:41:01 查看 阅读:2

IRFR5305PBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于各种高效能功率转换应用。它常被用于DC-DC转换器、电机驱动、负载切换以及其他需要高效能功率管理的场合。
  IRFR5305PBF的设计使其能够承受较大的漏极电流,并在高频操作下保持较低的功耗,这使得它成为许多现代电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ
  栅极电荷:29nC
  总热阻(结到环境):146°C/W
  工作结温范围:-55°C 至 150°C

特性

IRFR5305PBF的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流,能够支持大功率应用。
  3. 快速开关能力,适用于高频开关电路。
  4. 强大的雪崩能力,提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
  5. 小型封装设计,节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。
  这些特点使得IRFR5305PBF非常适合用于需要高性能和高效率的功率转换和控制应用中。

应用

IRFR5305PBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,在汽车电子和工业控制中常见。
  3. 电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机等。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 各种功率管理模块,如电池管理系统(BMS)。
  其卓越的性能和可靠性使它成为上述应用的理想选择。

替代型号

IRF5305PBF, BSC028N06LSG, FDP5502

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IRFR5305PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件