时间：2025/7/5 5:39:29
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IRLR3114Z 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道逻辑 级功率 MOSFET。它采用先进的制程工艺，具有极低的导通电阻和高开关速度，非常适合用于高效能开关应用中。
该器件在消费电子、工业控制以及通信设备领域得到了广泛应用，特别是在需要低功耗和快速切换的应用场景下表现尤为突出。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：3.8mΩ
栅极电荷（典型值）：6nC
开关时间：ton=9ns，toff=18ns
封装形式：TO-252 (DPAK)
IRLR3114Z 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，这使得它能够在大电流应用中减少传导损耗，从而提升整体效率。
2. 高速开关能力，得益于其较小的栅极电荷，可有效降低开关损耗。
3. 较低的反向恢复电荷 Qrr，有助于提高高频开关性能。
4. 内置的雪崩击穿保护功能，使其能够承受一定的过载条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 在宽温度范围内具有稳定的电气性能，工作结温范围为 -55°C 至 +175°C。
IRLR3114Z 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. LED 照明驱动中的功率控制元件。
6. 各类便携式电子设备中的负载切换开关。
IRLR3104TRPBF, IRLR3104ZTRPBF
