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IRFR4615TRLPBF 发布时间 时间:2025/5/24 14:33:29 查看 阅读:1

IRFR4615TRLPBF 是一款 N 沟道逻辑 级增强型功率 MOSFET,采用 DPAK 封装。该器件主要适用于高效率、高频开关应用,具有低导通电阻和快速开关特性。其设计优化了动态性能和热性能,使其在各种电源管理场景中表现出色。
  该 MOSFET 的工作电压范围较宽,适合多种类型的开关电路和负载驱动应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):38nC
  反向恢复时间:9ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFR4615TRLPBF 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗并提高高频性能。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠的性能。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 支持高电流密度,适合大功率应用需求。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. 用于电池供电设备的负载开关。
  3. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
  4. 电机驱动和电磁阀控制。
  5. 各种工业和消费类电子产品的高效功率转换模块。
  6. 便携式电子产品中的电源管理单元。

替代型号

IRLR4615, FDP10N30L, AOT4615

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IRFR4615TRLPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 21A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1750pF @ 50V
  • 功率 - 最大144W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR4615TRLPBFTR