IRFR4105TRR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的增强型 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和小尺寸设计的应用场景。
这种 MOSFET 的典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。其封装形式为 TO-Leadless (TOLL),这是一种无引脚封装,能够提供出色的散热性能和更低的寄生电感。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:27A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:69nC
工作结温范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-Leadless (TOLL)
最小工作电压:4.5V
IRFR4105TRR 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),可有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高开关速度,得益于较低的栅极电荷,使其非常适合高频开关应用。
3. 宽泛的工作结温范围(-55℃至175℃),确保了在极端温度条件下的可靠性。
4. 封装采用 TOLL 技术,具有良好的热性能和电气性能,同时支持表面贴装工艺。
5. 增强型逻辑电平驱动,栅极阈值电压低,简化了驱动电路设计。
该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和降压转换。
2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 笔记本电脑及平板电脑适配器中的高效功率传输。
IRLR7846, FDP16N04L