您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFR4105TRR

IRFR4105TRR 发布时间 时间:2025/7/3 17:23:09 查看 阅读:16

IRFR4105TRR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的增强型 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和小尺寸设计的应用场景。
  这种 MOSFET 的典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。其封装形式为 TO-Leadless (TOLL),这是一种无引脚封装,能够提供出色的散热性能和更低的寄生电感。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:69nC
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-Leadless (TOLL)
  最小工作电压:4.5V

特性

IRFR4105TRR 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),可有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高开关速度,得益于较低的栅极电荷,使其非常适合高频开关应用。
  3. 宽泛的工作结温范围(-55℃至175℃),确保了在极端温度条件下的可靠性。
  4. 封装采用 TOLL 技术,具有良好的热性能和电气性能,同时支持表面贴装工艺。
  5. 增强型逻辑电平驱动,栅极阈值电压低,简化了驱动电路设计。

应用

该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和降压转换。
  2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  4. 工业自动化设备中的功率管理。
  5. 笔记本电脑及平板电脑适配器中的高效功率传输。

替代型号

IRLR7846, FDP16N04L

IRFR4105TRR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFR4105TRR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最大68W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)