时间：2025/7/17 21:34:27
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FDS6681-NL是一款N沟道增强型MOSFET，采用SO-8封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中，具有较低的导通电阻和较快的开关速度。
此型号由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产，广泛用于需要高效率和低损耗的电路设计中。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：3.9A
导通电阻：75mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：4.7nC（典型值）
输入电容：540pF（典型值）
总耗散功率：0.8W（在TA=25°C时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
FDS6681-NL具有以下关键特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适用于高频应用。
3. 较高的雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小巧的SO-8封装，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
这些特性使FDS6681-NL成为众多高效能、紧凑型电子设备的理想选择。
FDS6681-NL适合以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器，包括降压和升压拓扑结构。
3. 电池保护电路。
4. 电机驱动和控制。
5. 各种负载开关和保护电路。
由于其优良的电气特性和可靠性，它在消费类电子产品、工业控制及通信设备中均表现良好。
FDP5500NL, IRLML6402TRPBF, AO3400A
