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IRFR4105 发布时间 时间:2025/4/27 10:05:31 查看 阅读:24

IRFR4105是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由英飞凌(Infineon)生产。这种器件通常用于高频开关应用和功率转换电路中,例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理模块等。IRFR4105以其低导通电阻和快速开关速度著称,非常适合需要高效率和低损耗的应用场景。
  该器件采用了先进的制造工艺,在保证高性能的同时降低了功耗,使得它在现代电子设备中的应用非常广泛。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:23A
  导通电阻(Rds(on)):4.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:16nC(典型值)
  开关时间:ton=17ns,toff=11ns
  结温范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220FP

特性

IRFR4105的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频工作,适用于开关电源和高频逆变器。
  3. 高电流承载能力,使其能够胜任大功率应用场景。
  4. 热稳定性良好,能够在较宽的温度范围内正常工作。
  5. 内部设计优化了栅极驱动要求,简化了外围电路设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合长期使用。
  这些特点使IRFR4105成为众多功率电子应用的理想选择。

应用

IRFR4105被广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的功率级切换。
  6. 各种消费类电子产品中的负载开关功能。
  由于其出色的性能表现,IRFR4105成为了许多工程师在设计高效功率转换电路时的首选元件。

替代型号

IRFZ44N
  STP90NE06L
  FDP17N10

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IRFR4105参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最大68W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFR4105