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IRFR3709ZTRLPBF 发布时间 时间:2025/6/29 13:47:29 查看 阅读:4

IRFR3709ZTRLPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道艗 Enhancement 模式场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TOLL 封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于高频开关应用和功率转换场景。其设计旨在降低功耗并提高系统的整体性能。
  该 MOSFET 的主要应用领域包括服务器电源、电信整流器、太阳能逆变器以及其他需要高效能功率管理的工业设备。通过优化的芯片设计和封装技术,IRFR3709ZTRLPBF 能够提供出色的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:82A
  导通电阻:0.41mΩ
  栅极电荷:67nC
  开关速度:高速
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装类型:TOLL

特性

IRFR3709ZTRLPBF 的核心优势在于其极低的导通电阻,仅为 0.41mΩ,这使得它在高电流应用场景中表现出较低的功率损耗。此外,它的栅极电荷仅为 67nC,有助于实现快速开关操作,并减少开关过程中的能量损失。
  该器件支持高达 82A 的连续漏极电流,适合处理大功率负载。同时,由于采用了先进的封装技术,IRFR3709ZTRLPBF 在高温环境下仍能保持稳定的工作状态,其最高结温可达 175℃。
  为了确保可靠性,该 MOSFET 经过了严格的测试流程,符合汽车级和工业级标准。此外,其零引线连接结构显著降低了寄生电感,从而提高了电磁兼容性(EMC)性能。

应用

IRFR3709ZTRLPBF 主要应用于以下领域:
  1. 服务器和通信设备中的 DC-DC 转换器。
  2. 高效同步整流电路。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  4. 电机驱动和工业自动化控制。
  5. 高功率密度的 AC-DC 和 DC-AC 转换器。
  这些应用都得益于其低导通电阻、高电流能力和优秀的热管理特性。

替代型号

IRFB3707ZFPBF, IRFR3708ZTRLPBF

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IRFR3709ZTRLPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C86A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2330pF @ 15V
  • 功率 - 最大79W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)