时间：2025/6/19 19:04:30
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IRFR3704TRPBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件广泛应用于需要高效率和低功耗的开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器等应用中。其优异的导通电阻特性和较低的栅极电荷使其成为高性能功率转换电路的理想选择。
这款 MOSFET 的额定电压为 60V，具有出色的热稳定性和电气性能，能够有效降低系统能耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.9mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：40nC（典型值）
输入电容：1250pF（典型值）
总功耗：40W
工作结温范围：-55℃至+150℃
IRFR3704TRPBF 提供了非常低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
它具有快速的开关速度，从而降低了开关损耗。
该器件的栅极电荷较低，可以与多种驱动器兼容，进一步优化了系统的性能。
此外，其封装设计确保了良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
该 MOSFET 还具备较高的雪崩能力，增强了在异常条件下的可靠性。
IRFR3704TRPBF 主要用于 DC-DC 转换器、开关模式电源 (SMPS)、电机控制、电池管理系统 (BMS) 和负载开关等领域。
在 DC-DC 转换器中，它可以用作同步整流器以提高效率。
在电机驱动应用中，它可以提供高效的功率传输和精确的控制功能。
同时，它也非常适合用在需要频繁开关操作的工业控制系统中。
IRF3704,
STP18NF06,
FDP18N06L,
AONR2G010
