时间：2025/6/24 8:34:46
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IRFR3518TRPBF 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-263 封装，适用于需要高效率和低导通损耗的应用场景。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)）以及出色的开关性能，能够满足各种功率转换和电机驱动应用的需求。
该型号在消费电子、工业控制、通信设备等领域中被广泛使用。
最大漏源电压：50V
最大连续漏电流：27A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
总耗散功率：140W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IRFR3518TRPBF 的核心优势在于其低导通电阻设计，这使得它能够在高频开关条件下提供卓越的效率表现。此外，该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗并提高了整体系统效率。
该器件还具备较强的热稳定性，在极端温度环境下依然能够保持良好的性能输出。同时，TO-263 封装形式有助于简化 PCB 布局，并提供优异的散热能力。
该 MOSFET 主要用于直流-直流转换器、开关电源（SMPS）、电池管理模块、电机驱动电路以及其他需要高效功率切换的场合。
在汽车电子领域，IRFR3518TRPBF 可用于启动停止系统、电动助力转向（EPS）等关键组件；而在工业自动化领域，它适合用作伺服驱动器或逆变器的核心元件。
IRF3518TRPBF, STMicroelectronics STL351N5LLH5, Infineon IPP050N05S4
