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IRFR3412TRPBF 发布时间 时间:2025/6/22 14:11:08 查看 阅读:4

IRFR3412TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管,采用PQFN封装形式。该器件专为高效能开关应用设计,具有低导通电阻和高开关速度的特性。其主要应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域中的电源管理电路和负载切换场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:7.5nC
  总热阻(结到壳):25°C/W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IRFR3412TRPBF具备卓越的电气性能,包括低导通电阻,从而减少功率损耗并提升效率。此外,其封装紧凑且散热性能良好,适用于高密度电路设计。它还具有较高的开关速度,能够支持高频操作,同时保持较低的开关损耗。
  该器件通过优化内部结构,确保在各种环境条件下均表现出优异的可靠性和稳定性。此外,其出色的雪崩能力和抗静电能力进一步增强了其在恶劣工况下的适应性。

应用

IRFR3412TRPBF广泛用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动器以及负载开关等应用中。在消费类电子产品领域,它可以用来构建笔记本电脑适配器、平板电视电源等;在工业领域,适用于工厂自动化设备中的电源管理和电机控制模块;在通信行业,则可用于基站电源和网络设备供电系统。
  由于其出色的电气特性和可靠性,该器件也逐渐被应用于新兴领域,如电动汽车充电设备和可再生能源发电系统中的功率转换部分。

替代型号

IRF3412TRPBF, IRFR3412DPBF

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IRFR3412TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 29A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs89nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3430pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)