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IRFR3303TRLPBF 发布时间 时间:2025/12/24 12:27:06 查看 阅读:16

IRFR3303TRLPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沗道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了先进的 Trench 技术,能够提供卓越的开关性能和低导通电阻。其封装形式为 TO-263-3(D2PAK),适用于高效率电源转换、电机驱动以及负载切换等应用领域。
  该 MOSFET 的额定电压为 30V,具有出色的电流承载能力和热性能,广泛用于工业控制、消费电子及通信设备中。

参数

型号:IRFR3303TRLPBF
  类型:N沟道功率 MOSFET
  封装:TO-263-3 (D2PAK)
  最大漏源电压 (Vds):30V
  最大栅源电压 (Vgs):±20V
  连续漏极电流 (Id):48A
  导通电阻 (Rds(on)):3.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
  总功耗 (Ptot):17W
  工作温度范围 (Tj):-55°C 至 +150°C
  栅极电荷 (Qg):29nC (典型值)
  反向恢复时间 (trr):15ns

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。
  2. 高电流承载能力 (Id),使其适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷 (Qg) 和反向恢复时间 (trr),非常适合高频开关电路。
  4. 良好的热性能,支持更高的功率密度。
  5. 内置防静电保护功能,增强了器件的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  7. 稳定的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C),适合各种恶劣环境下的应用。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流 MOSFET。
  2. 电机驱动器中的功率级元件,例如步进电机、直流无刷电机 (BLDC) 控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的功率管理。
  5. 电信设备中的高效功率分配。
  6. 汽车电子中的各类驱动与控制应用。
  7. 高效 LED 驱动器中的功率开关元件。

替代型号

IRF3303TRPBF
  INFINEON BSC038N06NS3
  ON Semiconductor NTMFS4838NT1G
  Fairchild FDMF3171
  STMicroelectronics STP40NF06L

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IRFR3303TRLPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds750pF @ 25V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)