EMZ1T2R 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换芯片,广泛应用于电源适配器、充电器和 DC-DC 转换器中。该芯片通过集成驱动器和保护功能,提供了一种简单且高效的解决方案,能够显著提升开关电源系统的性能和功率密度。
这款芯片采用先进的封装技术,具有高可靠性,并支持高频工作模式以减少磁性元件的体积,从而实现更紧凑的设计。
类型:功率转换芯片
材料:氮化镓(GaN)
最大输入电压:30V
最小输入电压:4.5V
输出电流:2A
封装形式:QFN8
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
开关频率:高达 5MHz
导通电阻:100mΩ
EMZ1T2R 提供了卓越的性能表现,其主要特性包括:
1. 高效的 GaN 场效应晶体管技术,大幅降低开关损耗。
2. 内置栅极驱动电路,简化设计复杂度。
3. 支持超宽输入电压范围,适应多种应用场景。
4. 提供全面的保护功能,例如过温保护(OTP)、过流保护(OCP)和短路保护(SCP)。
5. 极低的寄生电感设计,确保高频工作的稳定性。
6. 小尺寸 QFN8 封装,适合高密度布局需求。
7. 符合 RoHS 标准,环保友好。
EMZ1T2R 主要用于以下领域:
1. 快速充电器和 USB-PD 适配器。
2. 消费类电子产品的高效电源模块。
3. 工业设备中的小型化 DC-DC 转换器。
4. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理单元。
5. 高频 AC-DC 和 DC-DC 开关电源设计。
6. LED 驱动器和小功率逆变器。
EMZ1T3R, EZG2T2R