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EMZ1T2R 发布时间 时间:2025/5/21 9:43:19 查看 阅读:4

EMZ1T2R 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换芯片,广泛应用于电源适配器、充电器和 DC-DC 转换器中。该芯片通过集成驱动器和保护功能,提供了一种简单且高效的解决方案,能够显著提升开关电源系统的性能和功率密度。
  这款芯片采用先进的封装技术,具有高可靠性,并支持高频工作模式以减少磁性元件的体积,从而实现更紧凑的设计。

参数

类型:功率转换芯片
  材料:氮化镓(GaN)
  最大输入电压:30V
  最小输入电压:4.5V
  输出电流:2A
  封装形式:QFN8
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  开关频率:高达 5MHz
  导通电阻:100mΩ

特性

EMZ1T2R 提供了卓越的性能表现,其主要特性包括:
  1. 高效的 GaN 场效应晶体管技术,大幅降低开关损耗。
  2. 内置栅极驱动电路,简化设计复杂度。
  3. 支持超宽输入电压范围,适应多种应用场景。
  4. 提供全面的保护功能,例如过温保护(OTP)、过流保护(OCP)和短路保护(SCP)。
  5. 极低的寄生电感设计,确保高频工作的稳定性。
  6. 小尺寸 QFN8 封装,适合高密度布局需求。
  7. 符合 RoHS 标准,环保友好。

应用

EMZ1T2R 主要用于以下领域:
  1. 快速充电器和 USB-PD 适配器。
  2. 消费类电子产品的高效电源模块。
  3. 工业设备中的小型化 DC-DC 转换器。
  4. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理单元。
  5. 高频 AC-DC 和 DC-DC 开关电源设计。
  6. LED 驱动器和小功率逆变器。

替代型号

EMZ1T3R, EZG2T2R

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EMZ1T2R参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换180MHz,140MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EMZ1T2R-NDEMZ1T2RTR