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IRFR3303CPBF 发布时间 时间:2025/7/8 15:31:43 查看 阅读:13

IRFR3303CPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于各种功率转换电路中。它通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
  IRFR3303CPBF 的封装形式为 TO-252 (DPAK),这使其非常适合表面贴装技术(SMT),并能提供良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:19.7A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:18nC
  开关时间:典型值 t_on=12ns, t_off=27ns
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRFR3303CPBF 提供了非常低的导通电阻,从而减少了传导损耗,并提高了效率。其快速的开关时间和低栅极电荷使得动态损耗也得到了很好的控制。此外,该 MOSFET 的封装设计能够支持高效的热量散发,即使在高功率密度应用中也能保持稳定运行。
  由于采用了逻辑电平驱动设计,这款 MOSFET 可以直接由微控制器或专用驱动芯片进行驱动,简化了电路设计并降低了整体系统成本。
  同时,该器件具备较高的雪崩耐量能力,增强了系统的可靠性和耐用性。

应用

该元器件适用于广泛的工业和消费类电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动和控制
  3. LED 驱动器
  4. 电池管理系统
  5. 通信设备中的功率转换
  6. 工业自动化控制
  IRFR3303CPBF 在这些应用中表现出色,特别是在需要高效率和小尺寸解决方案的情况下。

替代型号

IRLR3303, IRLZ3303

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IRFR3303CPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds750pF @ 25V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件