时间：2025/6/3 23:05:52
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IRFR320B 是一款由英飞凌（Infineon）制造的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件广泛用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用中。其设计采用先进的沟槽技术，能够提供较低的导通电阻和较高的效率。
IRFR320B 的封装形式为 TO-220，这使得它具备良好的散热性能，并且适合高电流和高电压环境下的操作。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：11A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：7nC
开关时间：开启延迟时间 18ns，关断下降时间 9ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
IRFR320B 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 较低的栅极电荷 (Qg)，有助于实现快速开关，降低开关损耗。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 紧凑的 TO-220 封装，便于安装并具有优秀的散热性能。
5. 完全兼容于标准逻辑电平驱动电路，简化了控制设计。
IRFR320B 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具、家用电器和其他消费类电子产品的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器以及其他高效能电力转换系统。
5. 各种需要高性能功率 MOSFET 的场合。
IRFZ44N, FDP5600, STP11NM50
