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SPN4920AS8RG 发布时间 时间:2025/7/4 7:29:18 查看 阅读:12

SPN4920AS8RG 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 N 沟道技术设计。该器件专为需要低导通电阻和快速开关性能的应用而设计,适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理和切换电路。SPN4920AS8RG 的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,适合高密度 PCB 设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:1.5A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ
  栅极电荷:7nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-23

特性

SPN4920AS8RG 具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,使其非常适合高频开关应用。其小型化的 SOT-23 封装确保了在有限的 PCB 空间内实现高效能设计。
  此外,该器件具有出色的热稳定性和抗静电能力(ESD),能够承受高达 2kV 的静电放电冲击,从而提高了整体系统的可靠性。
  由于其低 Qg 和 Rds(on),SPN4920AS8RG 在开关电源、负载开关、电机驱动以及电池管理等应用中表现出优异的性能和效率。

应用

SPN4920AS8RG 广泛应用于以下领域:
  - 开关电源 (SMPS)
  - 负载开关和保护电路
  - 便携式设备的电池管理
  - 工业控制和电机驱动
  - LED 驱动器
  - 各种消费类电子产品中的电源管理单元

替代型号

SPN4920AS8RG-A, SPN4920AS8RG-B

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