时间：2025/7/4 7:29:18
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SPN4920AS8RG 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 N 沟道技术设计。该器件专为需要低导通电阻和快速开关性能的应用而设计，适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理和切换电路。SPN4920AS8RG 的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
栅极电荷：7nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
SPN4920AS8RG 具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，使其非常适合高频开关应用。其小型化的 SOT-23 封装确保了在有限的 PCB 空间内实现高效能设计。
此外，该器件具有出色的热稳定性和抗静电能力（ESD），能够承受高达 2kV 的静电放电冲击，从而提高了整体系统的可靠性。
由于其低 Qg 和 Rds(on)，SPN4920AS8RG 在开关电源、负载开关、电机驱动以及电池管理等应用中表现出优异的性能和效率。
SPN4920AS8RG 广泛应用于以下领域：
- 开关电源 (SMPS)
- 负载开关和保护电路
- 便携式设备的电池管理
- 工业控制和电机驱动
- LED 驱动器
- 各种消费类电子产品中的电源管理单元
SPN4920AS8RG-A, SPN4920AS8RG-B
