IRFR2908TRPBF是一款由Infineon(英飞凌)制造的N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件适用于高效率、低导通电阻的应用场景,广泛用于开关电源、电机驱动、DC/DC转换器以及其他电力电子设备中。
这款功率MOSFET具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。
型号:IRFR2908TRPBF
类型:N沟道功率MOSFET
Vds(漏源极电压):55V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):137A
Ptot(总功耗):174W
封装:TO-263(DPAK)
工作温度范围:-55°C至+175°C
IRFR2908TRPBF是一款高性能的功率MOSFET,其主要特点包括:
1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为4.5mΩ(在Vgs=10V条件下),从而降低了导通损耗,适合高效能应用。
2. 高电流承载能力,最大连续漏极电流可达137A,使其非常适合大功率应用。
3. 小型化的TO-263封装,有助于节省电路板空间,并且具备良好的散热性能。
4. 工作温度范围宽广,从-55°C到+175°C,确保在恶劣环境下的可靠运行。
5. 具有快速开关速度,可减少开关损耗。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特性使得IRFR2908TRPBF成为需要高效能和高可靠性电力传输解决方案的理想选择。
IRFR2908TRPBF适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC/DC适配器、充电器等。
2. 各类电机驱动系统,例如家用电器中的风扇、泵浦或压缩机驱动。
3. DC/DC转换器,用于汽车电子、工业自动化设备等领域。
4. 大功率LED照明驱动电路。
5. 电池管理系统(BMS),特别是在电动车或储能系统中。
6. 逆变器和不间断电源(UPS)设计。
由于其卓越的电气性能和可靠性,IRFR2908TRPBF成为了众多高要求应用场合下的首选器件。
IRFZ44N, IRF540N, STP160N10F5