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IRFR2905ZPBF 发布时间 时间:2025/6/22 14:09:57 查看 阅读:4

IRFR2905ZPBF是一款N沟道功率MOSFET,由Infineon Technologies(原International Rectifier)生产。该器件采用TO-247封装形式,适合于需要高电流和高效开关的应用场景。其主要特点是低导通电阻、快速开关性能以及出色的热稳定性。这些特性使其广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等领域。
  这款MOSFET具有极高的耐用性和可靠性,能够承受较高的电压和电流负载,同时保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压:150V
  最大连续漏极电流:83A
  最大脉冲漏极电流:350A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:160nC
  输入电容:4450pF
  总电容:1250pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRFR2905ZPBF具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,仅为2.5mΩ,这显著减少了导通损耗。
  2. 高额定电流能力,最大连续漏极电流高达83A,适用于高功率应用。
  3. 快速开关性能,栅极电荷仅为160nC,有助于减少开关损耗。
  4. 出色的热稳定性,能够承受极端温度条件,工作温度范围为-55℃到175℃。
  5. 具有强大的抗雪崩能力,可以有效保护电路免受瞬态电压冲击的影响。
  6. TO-247封装设计,提供高效的散热性能和良好的机械强度。

应用

IRFR2905ZPBF主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中作为高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率开关,支持大电流电机运行。
  4. 逆变器系统中的功率输出级。
  5. 工业自动化设备中的大功率负载控制。
  6. 能量存储系统的充放电管理电路。

替代型号

IRFP2907, IRF2907ZPBF

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IRFR2905ZPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.5 毫欧 @ 36A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1380pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件