时间：2025/9/14 6:56:51
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BUK9225-55A,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的功率转换应用设计，适用于如电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场合。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，同时保持良好的热性能，适用于需要高可靠性和紧凑设计的工业和汽车应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：55V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：75A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ（在10V VGS）
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB
安装类型：通孔（Through Hole）
BUK9225-55A,118具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了整体能效。这在高电流应用中尤为重要，因为它有助于降低器件在工作时的温升，提高系统稳定性。
其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构（Trench Technology），在保持高电流密度的同时实现了更小的芯片尺寸，从而降低了成本并提高了集成度。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性。
该MOSFET支持高达±20V的栅源电压（VGS），这使其在使用不同的栅极驱动电路时具有更高的灵活性。同时，其封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。
该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C，表明其适用于极端环境下的工业和汽车应用。此外，其高可靠性设计确保了在长时间运行中的稳定性能。
BUK9225-55A,118广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该MOSFET适用于DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统。在汽车电子领域，它可用于车载充电器、电机控制、LED照明系统以及电池供电的便携式设备。
此外，该器件也适用于工业自动化设备，如伺服电机驱动器、工业电源模块和自动化控制系统中的开关电路。由于其高可靠性和耐高温特性，也常用于需要长时间稳定运行的通信电源、服务器电源和UPS（不间断电源）系统中。
在电机控制应用中，BUK9225-55A,118可以作为H桥电路中的关键开关元件，控制电机的正反转和调速，广泛用于电动工具、机器人和工业自动化设备中。
IRF1405, STP75NF75, FDP75N50, BUK9525-55A
