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IRFR2607Z 发布时间 时间:2025/5/27 15:16:39 查看 阅读:14

IRFR2607Z是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TOLL封装形式。该器件主要应用于高频、高效能的开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。其低导通电阻和优化的开关特性使得IRFR2607Z在高电流密度应用中表现出色。
  这款MOSFET的工作电压为40V,能够满足大部分低压应用的需求,同时具有较高的电流承载能力,适合需要大功率输出的应用环境。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:133A
  导通电阻(典型值):0.55mΩ
  栅极电荷(典型值):90nC
  输入电容(典型值):3860pF
  反向恢复时间:10ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFR2607Z是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,峰值电流可达133A,适用于大功率负载。
  3. 优化的开关特性,减少开关损耗并提升整体效能。
  4. 快速的反向恢复时间,使其更适合高频应用。
  5. 宽温度范围支持,能够在极端环境下保持稳定运行。
  6. TOLL封装提供出色的散热性能和可靠性,同时支持表面贴装技术(SMT)。
  这些特性使得IRFR2607Z成为工业级和消费级应用的理想选择,尤其在需要高效能量转换和快速开关的场合。

应用

IRFR2607Z广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和适配器设计,用于提高效率和减小尺寸。
  2. DC-DC转换器,特别是在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的车载充电系统中。
  3. 电机驱动控制,包括家用电器、工业设备及电动工具。
  4. 能量存储系统中的电池管理单元。
  5. 工业自动化和机器人中的功率转换模块。
  6. 高效功率因数校正(PFC)电路。
  由于其高电流和低导通电阻特性,IRFR2607Z非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。

替代型号

IRFB3807Z, IRFH7443TRPbF, AOTF260L

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IRFR2607Z参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs51nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1440pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFR2607Z