时间：2025/5/13 11:18:46
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IRFR24N15D是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和电机驱动应用。其额定电压为150V，能够承受较高的漏源电压，同时具备良好的热性能和可靠性。
该芯片广泛应用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域，特别适合于需要高效能和低损耗的场景。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：6.7A
导通电阻（Rds(on)）：300mΩ
栅极电荷：12nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
IRFR24N15D具有以下显著特性：
1. 低导通电阻设计可以有效降低功耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用环境。
3. 具备较强的雪崩耐量，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小型化的封装有助于节省PCB空间，简化系统布局。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款功率MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括适配器和充电器。
2. 直流-直流转换器。
3. 电机驱动与控制。
4. 电池保护电路。
5. 负载开关。
6. 固态继电器。
7. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ24N, STP16NF15, FDP18N15AE
