型号：2SB1260G-Q-AB3-R
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-5.0A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-14A
　　导通电阻Rds(on)：45mΩ（Vgs = -10V）
　　导通电阻Rds(on)：50mΩ（Vgs = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：860pF @ Vds=10V
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管快速恢复功能
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装

2SB1260G-Q-AB3-R具备优异的电气性能与热稳定性，适用于多种高要求的电源切换场景。其核心优势之一是低导通电阻，在Vgs = -10V条件下Rds(on)仅为45mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效，特别适合用于电池供电系统或需要节能设计的应用中。
　　该器件采用沟槽结构MOSFET技术，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积的电流承载能力，从而实现了小尺寸封装下仍具备较高电流处理能力的特点。即使在高温工作环境下，其导通电阻的增长也较为平缓，确保系统在重负载条件下的稳定性。
　　另一个关键特性是其坚固的栅极氧化层设计，可承受±12V的栅源电压，增强了抗干扰能力和操作安全性。配合负向阈值电压范围（-1.0V至-2.5V），能够兼容多种逻辑电平驱动信号，包括微控制器输出，便于实现直接驱动而无需额外电平转换电路。
　　由于其TO-252（DPAK）封装具有良好的散热性能，可通过PCB敷铜进行有效热传导，适用于中等功率级别的应用场合。该封装还支持自动化贴片生产，有利于提升制造效率并降低组装成本。
　　更重要的是，该器件通过了AEC-Q101车规认证，表明其在温度循环、湿度测试、机械冲击等多项可靠性试验中表现优异，适合部署于发动机控制单元、车身电子模块、车载充电系统等对元器件寿命和稳定性有严格要求的汽车电子系统中。同时，产品不含铅和有害物质，符合现代环保法规要求，支持可持续发展设计理念。

2SB1260G-Q-AB3-R广泛应用于多个高可靠性领域，尤其在汽车电子系统中扮演重要角色。典型应用场景包括车载信息娱乐系统的电源管理、LED照明驱动电路、电动门窗控制模块以及电池管理系统中的负载开关控制。其P沟道特性使其非常适合用于高端驱动配置，在启动和关闭过程中提供稳定的电压切换能力。
　　在工业控制设备中，该器件可用于直流电机的启停控制、继电器替代方案以及各类DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分。由于其具备较高的电流处理能力和较低的导通损耗，有助于减小散热器尺寸，从而实现更紧凑的产品设计。
　　此外，它也可用于便携式医疗设备、通信基站电源模块以及智能电表等需要长时间稳定运行的嵌入式系统中。作为高端侧开关，2SB1260G-Q-AB3-R能够有效地隔离电源路径，防止反向电流流动，保护后级电路免受损坏。
　　得益于其出色的瞬态响应能力和稳定的阈值电压特性，该MOSFET还能在动态负载变化频繁的环境中保持高效运作，例如在多路电源切换系统或热插拔电路中，确保供电平稳过渡而不引发电压跌落或浪涌现象。

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　　 "2SB1260G",
　　 "DMG2305UX",
　　 "SI2302DS",
　　 "FDC630P",
　　 "TPC8107"
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