PHP87N03LT是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN33-3封装形式。该器件适用于各种高效能开关应用,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低系统功耗并提升效率。这款MOSFET广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制领域中的负载开关、DC-DC转换器和电机驱动等场景。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:2.4mΩ(典型值)
栅极电荷:15nC(典型值)
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:PDFN33-3
PHP87N03LT具备极低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在大电流应用中表现优异,同时有效减少热损耗。
其快速的开关速度有助于降低开关损耗,适合高频应用环境。
此外,该器件采用了紧凑的PDFN33-3封装,不仅节省了PCB空间,还增强了散热性能。
该产品具有良好的雪崩能力和抗静电能力,从而提高了系统的可靠性和耐用性。
该MOSFET适用于多种电力电子应用,包括但不限于以下场景:
1. 负载开关:用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理。
2. DC-DC转换器:支持高效的降压或升压转换电路设计。
3. 电机驱动:为小型直流电机提供可靠的驱动解决方案。
4. 开关电源:用作主功率开关,提高整体转换效率。
5. 电池保护:防止过流和短路等情况发生。
PHP85N03LT
PHP86N03LT