类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：11A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω（最大值，Vgs=10V）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

IRFR224ATM采用了先进的平面制造工艺，具有极低的导通电阻和高电流承载能力，能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其导通电阻仅为0.045Ω，在高电流应用中表现出色，有助于减少发热和提升功率密度。
　　该MOSFET具备高开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器，能够降低开关损耗，提高转换效率。其快速的开关特性也有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高系统的整体紧凑性。
　　IRFR224ATM采用TO-252封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定工作。这种封装形式适用于表面贴装工艺，便于自动化生产，同时也有利于热管理和机械稳定性。
　　此外，该器件具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或感性负载切换时提供更高的可靠性。其栅极驱动电压范围为±20V，支持兼容标准逻辑电平的驱动电路，使用灵活方便。

IRFR224ATM广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池充电系统、负载开关、马达驱动电路以及工业控制设备中的功率开关。
　　由于其低导通电阻和高开关速度，该器件特别适合用于需要高效能和高频操作的电源模块。例如，在同步整流器中，IRFR224ATM可以显著降低导通损耗，提高整体转换效率。在电池供电系统中，它可作为主开关或充电控制开关，确保高效能和长续航时间。
　　此外，IRFR224ATM还可用于电机控制和继电器替代应用，提供更快速的响应和更长的使用寿命。

IRFR224N, IRFZ44N, IRF3710, STP12NF06L