IRFR220TR 时间：2025/12/26 18:37:17 阅读：14

IRFR220TR是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，采用先进的平面栅极技术制造，具有高可靠性与稳定性。该器件封装在SOT-223小型表面贴装封装中，适用于需要高效、紧凑设计的电源管理应用。IRFR220TR特别适用于低电压开关电源系统，在DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池供电设备中表现优异。该MOSFET具备低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于降低传导损耗，提升整体能效。其最大漏源电压（VDS）为100V，确保在中等电压环境下稳定运行。由于采用了坚固的工艺设计，IRFR220TR具备良好的热性能和抗雪崩能力，适合在工业环境和消费类电子产品中广泛使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，满足现代电子产品的环保要求。IRFR220TR通过优化的芯片设计实现了快速开关速度，减少了开关过程中的能量损耗，从而提升了系统的动态响应能力和效率。总体而言，IRFR220TR是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，广泛应用于各类中小功率电力电子电路中。

参数

型号：IRFR220TR
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：2.9 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：11.6 A
　　功耗（PD）：50 W
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.48 Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=5V：0.65 Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：170 pF
　　输出电容（Coss）：50 pF
　　反向恢复时间（trr）：27 ns
　　工作结温范围：-55 ~ +150 °C
　　封装类型：SOT-223

特性

IRFR220TR具备多项关键特性，使其在同类N沟道MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻（RDS(on)）是该器件的核心优势之一。在VGS = 10V时，RDS(on)典型值仅为0.48Ω，而在5V驱动条件下也能保持0.65Ω的较低水平，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，尤其适用于对能效要求较高的便携式设备和电池供电系统。其次，该器件采用SOT-223封装，具备良好的散热性能，能够在有限的空间内实现较高的功率密度，非常适合空间受限的应用场景。SOT-223封装还支持表面贴装工艺，便于自动化生产，提高组装效率。
　　另一个重要特性是其出色的开关性能。IRFR220TR具有较低的输入和输出电容（Ciss = 170pF, Coss = 50pF），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，能够实现更快的上升和下降时间，减少开关延迟和交叉导通风险。同时，其反向恢复时间（trr）为27ns，表现出良好的体二极管恢复特性，有助于降低高频开关应用中的电磁干扰（EMI）和开关损耗。
　　此外，IRFR220TR具备宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在极端环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场合。其栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容3.3V和5V逻辑电平驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。器件还具备良好的抗雪崩能力和dv/dt抗扰度，增强了在瞬态过压和负载突变情况下的鲁棒性。最后，该器件符合RoHS指令，无铅且环保，满足现代电子产品对绿色制造的要求。

应用

IRFR220TR广泛应用于多种中低功率电力电子系统中。典型应用包括DC-DC升压和降压转换器，其中其低RDS(on)和快速开关特性有助于提升转换效率并减小电路尺寸。在电池供电设备如移动电源、手持仪器和便携式医疗设备中，该器件可用于负载开关或电源路径管理，有效控制功耗并延长电池寿命。此外，它也常用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，作为低端或高端开关元件，提供可靠的电流控制能力。
　　在电源管理系统中，IRFR220TR可用于过流保护、热插拔控制和电源多路复用等场合。其SOT-223封装的小体积特性使其成为高密度PCB布局的理想选择，广泛应用于通信模块、智能家居控制器、工业传感器和嵌入式系统中。由于其良好的热稳定性和可靠性，该器件也可用于汽车电子中的辅助电源模块或车载照明驱动电路。此外，在消费类电子产品如打印机、扫描仪和小型家电中，IRFR220TR常被用作继电器替代方案，实现固态开关功能，提升系统寿命和响应速度。总之，该器件凭借其综合性能优势，在多个领域实现了高效、可靠的功率开关功能。