IRFR210B是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景。该器件采用了先进的制造工艺,确保了其在高频开关应用中的出色性能。
这款MOSFET具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点,使其非常适合于电源转换、电机驱动以及各类开关模式电源(SMPS)等应用。此外,它还支持较高的工作温度范围,保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。
型号:IRFR210B
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):50V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):6.8A
导通电阻(Rds(on)):40mΩ @ Vgs=10V
总功耗(Ptot):79W
结温范围(Tj):-55°C to 175°C
封装形式:TO-220
IRFR210B具有以下主要特性:
1. 高击穿电压:高达50V的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,Rds(on)仅为40mΩ,从而减少了导通损耗,提高了效率。
3. 快速开关性能:得益于优化的设计结构,该器件具备较低的输入电容和输出电荷,能够实现快速开关。
4. 较高的电流承载能力:连续漏极电流可达6.8A,满足大功率应用需求。
5. 宽温度范围:工作温度范围从-55°C到175°C,适应各种极端环境条件。
6. 稳定性:经过严格测试,能够在长时间使用中保持稳定的性能表现。
这些特性使IRFR210B成为高频开关应用的理想选择,特别适合需要高效率和高可靠性的场合。
IRFR210B的主要应用领域包括:
1. 开关模式电源(SMPS):如适配器、充电器和DC-DC转换器。
2. 电机控制:用于小型电机驱动电路,提供高效的开关控制。
3. 电池管理:可用于保护电路和充放电管理。
4. 逆变器:在光伏逆变器和其他类型的逆变器中用作功率开关。
5. 工业自动化:为工业设备提供可靠的功率控制。
6. 汽车电子:适用于车载电子系统中的各种功率转换模块。
由于其高性能和可靠性,IRFR210B在众多行业中都得到了广泛应用。
IRFZ24N, IRF540N