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IRFR120TRPBF 发布时间 时间:2025/7/12 16:00:32 查看 阅读:8

IRFR120TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟能量场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-263 封装形式,广泛应用于功率转换、电机驱动以及开关电源等场景。其设计目标是提供高效率和低导通电阻的解决方案。
  该型号继承了英飞凌 MOSFET 系列产品的高性能特点,具备出色的热特性和电气性能,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理任务。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:8.5A
  导通电阻(Rds(on)):7mΩ(典型值,在 Vgs=10V 条件下)
  栅极电荷:28nC(典型值)
  输入电容:950pF(典型值)
  总功耗:41W
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-263

特性

IRFR120TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频功率转换应用。
  3. 较低的栅极电荷,减少了驱动损耗。
  4. 紧凑型 TO-263 封装,简化了 PCB 布局并提高了散热性能。
  5. 良好的热稳定性,支持长时间在高温环境下运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  这些特性使 IRFR120TRPBF 成为需要高效功率控制的应用的理想选择。

应用

IRFR120TRPBF 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 消费类电子产品的充电器和适配器。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 电池凭借其出色的电气性能和可靠性,IRFR120TRPBF 可以满足多种功率控制需求。

替代型号

IRFZ44N, FDP15U20AE, PSMN022-100USE

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IRFR120TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 4.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds360pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR120TRPBF-NDIRFR120TRPBFTR