IRFR120TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟能量场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-263 封装形式,广泛应用于功率转换、电机驱动以及开关电源等场景。其设计目标是提供高效率和低导通电阻的解决方案。
该型号继承了英飞凌 MOSFET 系列产品的高性能特点,具备出色的热特性和电气性能,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理任务。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:8.5A
导通电阻(Rds(on)):7mΩ(典型值,在 Vgs=10V 条件下)
栅极电荷:28nC(典型值)
输入电容:950pF(典型值)
总功耗:41W
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-263
IRFR120TRPBF 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低传导损耗,提升整体系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频功率转换应用。
3. 较低的栅极电荷,减少了驱动损耗。
4. 紧凑型 TO-263 封装,简化了 PCB 布局并提高了散热性能。
5. 良好的热稳定性,支持长时间在高温环境下运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这些特性使 IRFR120TRPBF 成为需要高效功率控制的应用的理想选择。
IRFR120TRPBF 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 消费类电子产品的充电器和适配器。
5. LED 照明驱动电路。
6. 电池凭借其出色的电气性能和可靠性,IRFR120TRPBF 可以满足多种功率控制需求。
IRFZ44N, FDP15U20AE, PSMN022-100USE