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SI1031R-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/29 17:25:52 查看 阅读:12

SI1031R-T1-GE3 是一款由 Silan(硅力杰)公司生产的高效能、小封装的同步整流降压 DC-DC 转换器芯片。该芯片适用于需要高效率和小尺寸解决方案的应用场景,能够提供高达 3A 的持续输出电流,并支持宽输入电压范围。其内部集成了高性能的 PWM 控制器和功率 MOSFET,可显著简化电源设计并减少外围元件数量。
  该芯片采用了先进的工艺技术,具备出色的轻载效率和优秀的线性调整率与负载调整率特性,非常适合便携式设备、消费类电子以及工业应用中的电源管理需求。

参数

输入电压范围:2.7V - 5.5V
  输出电压范围:0.8V - VIN
  最大输出电流:3A
  开关频率:1.2MHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装形式:WLCSP-16(1.5x1.9mm)
  效率(典型值):95%
  启动时间:2ms
  关断电流:1uA

特性

SI1031R-T1-GE3 具备以下主要特性:
  1. 内置高效的功率 MOSFET,无需外置开关管,从而减少了 PCB 占用面积。
  2. 支持恒定导通时间控制模式,能够在全负载范围内实现快速瞬态响应。
  3. 提供全面的保护功能,包括过流保护、短路保护和过温保护,确保系统在异常情况下的可靠性。
  4. 内置软启动功能,有效降低启动时的浪涌电流。
  5. 支持脉冲跳跃模式(PSM),以提升轻载条件下的转换效率。
  6. 集成补偿网络,简化了环路设计过程。
  7. 小型封装适合对空间要求严格的紧凑型设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑等便携式电子设备的电池供电电路。
  2. USB 电源适配器及充电模块。
  3. 可穿戴设备和物联网终端的电源管理。
  4. 工业控制设备中的辅助电源。
  5. POS 终端和其他低功耗嵌入式系统的供电方案。

替代型号

SI1030R-T1-GE3, SI1032R-T1-GE3

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SI1031R-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C140mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 欧姆 @ 150mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75A
  • 供应商设备封装SC-75A
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1031R-T1-GE3TR