时间：2025/5/13 8:53:35
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IRFR120NTRLPBF是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装。这款器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于多种功率转换和电机驱动应用。其出色的性能使其在消费电子、工业控制以及汽车电子领域中得到了广泛应用。
型号：IRFR120NTRLPBF
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极电压）：55V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：80A
Ptot（总功耗）：175W
封装：TO-263
工作温度范围：-55°C to +175°C
栅极电荷：19nC
IRFR120NTRLPBF采用了先进的沟槽技术制造，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，能够支持高达80A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗，特别适用于高频开关应用。
4. 稳定性好，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 具有较高的雪崩击穿能量，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
6. TO-263封装形式，易于安装且散热性能良好。
该芯片广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率级开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
4. 汽车电子系统的直流电机控制和逆变器模块。
5. 可再生能源领域，例如太阳能微型逆变器中的功率开关元件。
IRFR120NTRPBF, IRFR1204, FDP5500
