时间：2025/9/14 18:16:38
阅读：4
BUK9675-100A,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效、高电流开关能力的电源管理应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。其封装形式为D2PAK（TO-263），适合表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：75A
导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（最大值，在VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
功率耗散（Ptot）：200W
BUK9675-100A,118 MOSFET具有多项出色的电气和热性能，使其在高功率应用中表现卓越。
首先，该器件采用了先进的TrenchMOS技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)）值，最大仅为5.3mΩ。这不仅减少了导通状态下的功率损耗，还提高了整体效率，特别适用于高电流应用，如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。
其次，其高电流承载能力（75A）和100V的漏源电压使其适用于中高功率的开关电路。此外，该器件具备良好的热稳定性，封装设计支持高效的散热管理，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的栅极电压范围为±20V，提供更高的驱动灵活性和兼容性，同时具备较高的抗静电能力，增强了器件的可靠性和耐用性。其工作温度范围为-55°C至175°C，适合在各种恶劣环境条件下使用。
另外，D2PAK（TO-263）封装形式不仅支持表面贴装工艺，提高生产效率，还具备良好的机械稳定性和热导性能，适合自动化生产及高密度PCB布局。
BUK9675-100A,118 广泛应用于多种高功率电子系统中，如电源转换器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，实现高效能转换；在电机控制应用中，其高电流能力和低导通电阻确保精确的控制和稳定的运行；在电池管理系统中，可用于高电流开关保护电路。此外，由于其优异的热性能和可靠性，该器件也常用于汽车电子应用，如车载充电系统和起动系统等。
SiHF60N100E, Infineon IPB07N10N, STMicroelectronics STP75NF75
