时间：2025/6/24 3:38:30
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IRFR120ATM 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装形式，适用于高频开关应用和负载切换场景。其低导通电阻特性使其成为高效能电源管理的理想选择，广泛应用于计算机、消费类电子、工业控制等领域。
这款MOSFET的主要特点是具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了传导损耗，同时具有快速开关能力以适应高频工作环境。此外，其高雪崩能量能力增强了系统的可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：8.9A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：10nC（典型值）
总电容：1150pF（典型值）
功耗：43W
工作温度范围：-55℃至+150℃
IRFR120ATM 提供了低导通电阻以减少功率损耗，从而提高系统效率。
它具有较高的开关速度，能够支持高频应用，如DC-DC转换器和开关电源。
其封装形式TO-252 (DPAK) 占用空间小，有助于实现紧凑型设计。
由于其出色的热特性和电气性能，该器件在各种恶劣环境下仍能保持稳定运行。
内置的ESD保护电路进一步提升了产品的耐用性。
该器件适合用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下应用：
- 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关
- DC-DC转换器中的同步整流
- 笔记本电脑和台式机电源适配器
- LED驱动器中的电流调节
- 各种工业自动化设备中的负载切换和电机控制
- 消费类电子产品中的电池充电管理
IRLR120, IRFZ12N, FDP067N06L
