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IRFR020PBF 发布时间 时间:2023/3/7 15:52:41 查看 阅读:248

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

 

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 8.4A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):60V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:14A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :640pF @ 25V

    功率 - 最大:2.5W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

    包装:管件

    供应商设备封装:*


资料

厂商
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IRFR020PBF参数

  • 数据列表IRFR020
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds640pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件