时间：2025/8/17 1:15:23
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2N7002是一款常用的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），封装形式为SOT-23，是一种小型表面贴装封装，适用于低功率开关应用。该器件具有快速开关特性、低导通电阻以及较高的可靠性，广泛用于数字电路、电源管理和信号切换等应用领域。2N7002因其高性价比和通用性，成为许多电子设计中的首选晶体管之一。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：SOT-23
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：115mA（最大）
导通电阻(RDS(on))：约5Ω（典型值）
开启电压(VGS(th))：1V至3V
工作温度范围：-55°C至+150°C
最大耗散功率(PD)：300mW
2N7002是一款小型MOSFET，具有多种优异特性。首先，它的工作电压范围较宽，漏源电压可高达60V，适合多种低压控制应用。其次，其导通电阻较低，约为5Ω，这有助于降低功率损耗并提高开关效率。栅极驱动电压范围为1V至3V，使其可以与多种逻辑电路（如TTL或CMOS）兼容，提高了设计灵活性。
此外，2N7002采用了SOT-23封装，体积小、重量轻，非常适合用于高密度PCB设计。该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在恶劣环境中稳定工作。同时，其最大漏极电流为115mA，足以应对许多低功率开关和信号控制任务。
在开关特性方面，2N7002响应速度快，能够实现高效的数字信号切换。由于其低输入电容和良好的栅极控制特性，使得开关损耗较低，适用于高频开关应用。
2N7002广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要低功率MOSFET开关的场合。例如，在数字电路中，它常被用于驱动LED、继电器、小型电机和传感器等负载。在电源管理系统中，2N7002可用于负载开关、电压调节和电池管理等场景。此外，它也常用于通信设备、嵌入式系统、工业控制以及消费类电子产品中。
在微控制器（MCU）应用中，2N7002经常作为GPIO（通用输入输出）接口的扩展开关，用于控制外围设备的通断。由于其与TTL/CMOS逻辑电平兼容，使得它可以直接由数字IC驱动，无需额外的电平转换电路。在传感器接口电路中，它可以用于隔离和控制供电，以降低系统功耗。
在电源管理方面，2N7002可作为负载开关，用于控制多个子系统的电源供应，实现节能或热管理功能。在电池供电设备中，例如便携式仪器、智能手表或IoT设备中，它可被用来断开未使用的模块电源，从而延长电池寿命。
BS170, 2N7000, 2N7002K, FDV301N, SI2302DS, BSS138
