型号：IRFPS60N50C
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　连续漏极电流（Id）：60 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：240 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.065 Ω（最大值，典型值在特定测试条件下）
　　阈值电压（Vgs(th)）：4 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：10900 pF（典型值，Vds=25V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：480 pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：55 ns（典型值）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-247

IRFPS60N50C采用英飞凌领先的CoolMOS? C7技术，具备卓越的能效表现和热稳定性。其核心优势在于将高击穿电压与极低的导通电阻相结合，显著降低了传导过程中的能量损耗。该器件的Rds(on)仅为65mΩ，在同类500V MOSFET中处于领先水平，使其在大电流应用场景下仍能保持较低温升。同时，其动态特性经过优化，输入电容和反馈电容控制得当，有助于减少驱动电路的功耗并提高开关速度。
　　该MOSFET具有优异的抗雪崩能力，能够承受一定的过压冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。集成的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr），有效减少了在桥式电路或感性负载切换过程中产生的电压振荡和电磁干扰（EMI），提高了系统可靠性。此外，该器件支持高达150°C的最大结温，允许在恶劣环境温度下持续运行，适用于工业级和严苛工况下的电力转换设备。
　　IRFPS60N50C的TO-247封装提供了优良的热传导路径，可通过外部散热器将热量迅速散发，确保长时间工作的稳定性。该封装也具备较高的爬电距离和电气隔离性能，满足高压应用的安全规范要求。器件还具备良好的栅极耐用性，对常见的过压瞬态具有较强的耐受能力，降低了因驱动异常导致失效的风险。总体而言，这款MOSFET在效率、可靠性和热管理方面实现了良好平衡，是中高功率电源设计的理想选择之一。

IRFPS60N50C主要用于各类中高功率开关电源系统，包括服务器电源、通信电源模块以及工业用AC-DC和DC-DC转换器。由于其高电压等级和大电流承载能力，它常被用于PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管，帮助提升电网侧的功率因数并降低谐波污染。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的开关单元，实现高效的能量转换。此外，它也被广泛应用于UPS（不间断电源）系统、焊接设备、电机驱动控制器以及高压LED照明电源等场景。
　　在电动汽车充电站和储能系统的辅助电源中，IRFPS60N50C同样表现出色，能够在宽输入电压范围内稳定工作。其高频开关特性使其适用于LLC谐振变换器、硬开关全桥和半桥拓扑结构，有助于缩小磁性元件体积，提升整体功率密度。对于需要长期连续运行的工业设备来说，该器件的高可靠性和热稳定性可有效延长系统寿命并降低维护成本。因此，无论是追求极致效率还是强调系统稳健性的设计方案，IRFPS60N50C都能提供有力支持。

SPW60N50C
　　IPA60R500CP
　　STW60N50